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多功能光催化反應儀CY-GHX-D原理

多功能光催化反應儀CY-GHX-D原理

更新時間:2019-06-05
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多功能光催化反應儀CY-GHX-D原理主要用于研究氣相或液相介質、固定或流動體系、紫外光或模擬可見光照、以及反應容器是否負載TiO2光催化劑等條件下的光化學反應。具有提供分析反應產(chǎn)物和自由基的樣品,測定反應動力學常數(shù),測定量子產(chǎn)率等功能,廣泛應用化學合成、環(huán)境保護以及生命科學等研究領域。

多功能光催化反應儀CY-GHX-D原理的詳細資料:

多功能光催化反應儀CY-GHX-D原理

川一系列光化學反應儀主要用于研究氣相或液相介質、固定或流動體系、紫外光或模擬可見光照、以及反應容器是否負載TiO2光催化劑等條件下的光化學反應。具有提供分析反應產(chǎn)物和自由基的樣品,測定反應動力學常數(shù),測定量子產(chǎn)率等功能,廣泛應用化學合成、環(huán)境保護以及生命科學等研究領域。

 

主要特征:

1. 光化學反應儀采用智能微電腦控制,可觀察電流和電壓實時變化
2.進口光源控制器,內置光源轉換器,功率連續(xù)可調,穩(wěn)定性高
3.具有分步定時功能,操作簡便  4.反應暗箱內壁使用防輻射材料,且?guī)в杏^察窗
5.采用內照式光源,受光充分,燈源采用耐高壓防震材質,經(jīng)久耐用
6.配有8(6/12可選)位磁力攪拌裝置或大功率磁力攪拌裝置,使樣品充分混勻受光

7.光化學反應儀雙層耐高低溫石英冷阱,可通入冷卻水循環(huán)維持反應溫度
8 光化學反應儀高溫度保護系統(tǒng),自動斷電功能
9.機箱外部結構設有循環(huán)水進出口,內部設有2個插座,供燈源和攪拌反應器用

 

多功能光催化反應儀CY-GHX-D原理

技術參數(shù):

型號

CY-GHX-A

CY-GHX-AC

CY-GHX-B

CY-GHX-BC

CY-GHX-D

CY-GHX-DC

主體部分(含暗箱)

光源功率可連續(xù)調節(jié)大小;集成式光源控制器,可供汞燈、氙燈、金鹵燈等多種光源使用

汞燈功率調節(jié)范圍:0~1000W可連續(xù)調節(jié);

氙燈功率調節(jié)范圍:0~1000W可連續(xù)調節(jié);

金鹵燈功率調節(jié)范圍:0~500W可連續(xù)調節(jié)。

小容量反應部分

石英試管規(guī)格:30ml、50ml(或定做);

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石英試管規(guī)格:30ml、50ml(或定做)

可同時處理8個樣品(或定做)

可同時處理8個樣品(或定做)

八位磁力攪拌裝置可同步調節(jié)8個樣品的攪拌速度(或定做)

八位磁力攪拌裝置可同步調節(jié)8個樣品的攪拌速度(或定做)

大容量反應部分

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玻璃反應器皿可以分別選用250ml、500ml、1000ml等(或定做)。

玻璃反應器皿可以分別選用250ml、500ml、1000ml等(或定做)。

大功率強力磁力攪拌器使樣品充分混勻受光。

大功率強力磁力攪拌器使樣品充分混勻受光。

控溫裝置

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配備雙層石英冷阱

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配備雙層石英冷阱

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配備雙層石英冷阱

冷卻水循環(huán)裝置制冷量:>1000W

冷卻水循環(huán)裝置制冷量:>1000W

冷卻水循環(huán)裝置制冷量:>1000W

控溫范圍:-5°C到100°C(或按照用戶要求)

控溫范圍:-5°C到100°C(或按照用戶要求)

控溫范圍:-5°C到100°C(或按照用戶要求)

冷卻水循環(huán)裝置設有腳輪和底部排液閥

 

冷卻水循環(huán)裝置設有腳輪和底部排液閥

 

冷卻水循環(huán)裝置設有腳輪和底部排液閥

 

 

 

光化學反應裝置,主要用于研究氣相、液相固相、流動體系在模擬紫外光、模擬可見光、特種模擬光照射下,是否負載TiO2光催化劑等條件下的光化學反應。同時我公司為客戶提供纖維狀、排列狀物質特殊反應容器,解決不通物質在常規(guī)反應容器內的放置問題。多功能光化學反應儀適合應用于化學合成、環(huán)境保護及生命科學等研究領域,該系統(tǒng)具有技術合理、結構簡單、操作便捷、運行穩(wěn)定、保護人體、自由組合、靈活定做等*優(yōu)勢! 
結構 
精密光化學反應器是開發(fā)新一代化學反應裝置,主要適用于液相固相,模擬可見光,特種模擬照射下是否負載,在催化劑等條件下的光化學反應,化學合成,環(huán)境環(huán)保護及生命科學研究領域。 
該系統(tǒng)具有技術合理,結構簡單,操作便捷,采用全觸摸式開關,打開電源總開關,即可選擇不同光源。(照明,302nm,254nm,365nm),運行穩(wěn)定,保護人體等優(yōu)勢。

 

光催化凈化技術主要是利用光催化劑二氧化欽(T'02)吸收外界輻射的光能,使其直接轉變?yōu)榛瘜W能。當能量大于Ti02禁帶寬度的光照射半導體時,光激發(fā)電子躍遷到導帶,形成導帶電子(e-),同時在價帶留下空穴階(h+)。由于半導體能帶的不連續(xù)性,電子和空穴的壽命較長,它們能夠在電場作用下或通過擴散的方式運動,與吸附在半導體催化劑粒子表面上的物質發(fā)生氧化還原反應,或者被表面晶格缺陷俘獲。空穴和電子在催化劑粒子內部或表面也能直接復合,空穴能夠同吸附在催化劑粒子表面的月口一或HZO發(fā)生作用生成經(jīng)基自由基HO " , HO.是一種活性很高的粒子,能夠無選擇的氧化多種有機物并使之礦化。

由于光催化還屬于一種新興的技術,有很多因素還需要額外考慮,諸如納米光催化劑的制備技術、納米光催化劑的高活性和高壽命技術、納米光催化劑的固載化技術和納米光催化劑反應的設計技術,這些因素的實現(xiàn)勢必會使得凈化器價格攀升,從而影響推廣。然而該技術zui大的不足在于,從利用太陽光效率的角度看,半導體的光吸收波長范圍狹窄,主要在紫外區(qū),利用太陽光的比例低;光生載流子的復合率很高,導致量子效率較低。

 


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